RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Comparez
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Note globale
Kingston K531R8-MIN 4GB
Note globale
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston K531R8-MIN 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.4
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
6.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
28
Autour de -17% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
24
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
12.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
6.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2445
1633
Kingston K531R8-MIN 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link