RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Comparez
Kingston K531R8-MIN 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Note globale
Kingston K531R8-MIN 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston K531R8-MIN 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
29
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.9
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.0
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
29
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
18.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
15.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2445
3466
Kingston K531R8-MIN 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link