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Kingston K531R8-MIN 4GB
INTENSO 4GB
Comparez
Kingston K531R8-MIN 4GB vs INTENSO 4GB
Note globale
Kingston K531R8-MIN 4GB
Note globale
INTENSO 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston K531R8-MIN 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
36
Autour de 22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.4
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
INTENSO 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston K531R8-MIN 4GB
INTENSO 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
36
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
12.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
9.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2445
2061
Kingston K531R8-MIN 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
INTENSO 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
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