RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Comparez
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Note globale
Kingston K531R8-MIN 4GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston K531R8-MIN 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
40
Autour de 30% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
40
Vitesse de lecture, GB/s
13.4
13.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2445
2495
Kingston K531R8-MIN 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link