RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K821PJ-MID 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Comparez
Kingston K821PJ-MID 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Note globale
Kingston K821PJ-MID 16GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston K821PJ-MID 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
41
Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.1
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston K821PJ-MID 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.7
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2338
2640
Kingston K821PJ-MID 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston ACR16D3LS1NBG/4G 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link