RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K821PJ-MID 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Porównaj
Kingston K821PJ-MID 16GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
Kingston K821PJ-MID 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston K821PJ-MID 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
41
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.1
12.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston K821PJ-MID 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
14.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2338
2640
Kingston K821PJ-MID 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link