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Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Comparez
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Note globale
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Note globale
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
33
Autour de 6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.5
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
13.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
33
Vitesse de lecture, GB/s
19.5
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
14.5
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
25600
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3391
2987
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB Comparaison des RAM
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Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
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