RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
51
Autour de -65% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
31
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
11.4
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
2371
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Mushkin 994083 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
KingSpec KingSpec 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link