RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
51
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2371
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link