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Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Comparez
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Note globale
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
38
Autour de -27% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
14200
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
30
Vitesse de lecture, GB/s
15.2
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.3
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
14200
21300
Other
Description
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2496
2374
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB Comparaison des RAM
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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