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Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Pontuação geral
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
14.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.3
9.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
38
Por volta de -27% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
14200
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
38
30
Velocidade de leitura, GB/s
15.2
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.3
9.0
Largura de banda de memória, mbps
14200
21300
Other
Descrição
PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2496
2374
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB Comparações de RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparações de RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
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