RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Comparez
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Note globale
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
37
Autour de -23% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
30
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2595
3044
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB Comparaison des RAM
Golden Empire CL11-12-12 D3-2400 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-D8K3B 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link