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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Comparez
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Note globale
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Note globale
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
39
Autour de 5% latence réduite
Raisons de considérer
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.1
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
37
39
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.4
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1683
2183
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CAS Latency (CL) *
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calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
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calculate
Absolute Latency
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