Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Note globale
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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Note globale
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SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    15.5 left arrow 14.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    12.0 left arrow 10.7
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    25600 left arrow 23400
    Autour de 1.09% bande passante supérieure
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    30 left arrow 38
    Autour de -27% latence réduite

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    38 left arrow 30
  • Vitesse de lecture, GB/s
    15.5 left arrow 14.7
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    12.0 left arrow 10.7
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    25600 left arrow 23400
Other
  • Description
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Timings / Vitesse d'horloge
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2283 left arrow 2935
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons