RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
23400
Wokół strony 1.09% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
38
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
23400
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2935
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link