RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
73
Wokół strony -135% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,423.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
73
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,510.5
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,423.3
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
476
3239
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link