RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
46
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3313
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link