RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
73
Rund um -135% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
13.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
3239
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link