Comparação RAM Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Pontuação geral

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

15.5 14.7

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

12.0 10.7

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 23400

Por volta de 1.09% maior largura de banda

Razões a considerar
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

30 38

Por volta de -27% menor latência

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2283 2935

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns