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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
39
左右 5% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.1
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
39
读取速度,GB/s
11.4
14.1
写入速度,GB/s
7.4
10.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
2183
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kllisre D4 8G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
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