RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Comparez
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Note globale
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Note globale
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
13.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
46
Autour de -15% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
1,519.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
3200
Autour de 6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
46
40
Vitesse de lecture, GB/s
2,909.8
13.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,519.2
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
3200
19200
Other
Description
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
241
2340
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link