RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
46
Rund um -15% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.3
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
3200
Rund um 6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
10.3
Speicherbandbreite, mbps
3200
19200
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
2340
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link