RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Comparez
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Note globale
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Note globale
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
37
Autour de 14% latence réduite
Raisons de considérer
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.4
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
32
37
Vitesse de lecture, GB/s
16.2
21.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3084
3448
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link