RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сравнить
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB против ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Средняя оценка
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
37
Около 14% меньшая задержка
Причины выбрать
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
21.4
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
32
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.2
21.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3084
3448
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston X75V1H-MIE 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link