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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Comparez
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Note globale
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Note globale
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
73
Autour de 56% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
32
73
Vitesse de lecture, GB/s
16.2
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3084
1843
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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