Comparaison de la RAM Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Note globale

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

24 60

Autour de -150% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

12.7 6.8

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

6.3 5.4

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 14900

Autour de 1.14 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

9-10-9-28 / 1866 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1411 2256

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns