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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Comparez
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Note globale
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.9
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
28
Autour de -8% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
26
Vitesse de lecture, GB/s
18.2
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
14.9
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3501
2382
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB Comparaison des RAM
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
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