Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

総合得点

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

相違点仕様コメント

相違点

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

考慮すべき理由
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

18.2 15.6

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

14.9 11.8

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

25600 19200

周辺 1.33% 高帯域

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

26 28

周辺 -8% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト

Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

28 26
読み出し速度、GB/s

18.2 15.6
書き込み速度、GB/秒

14.9 11.8
メモリ帯域幅、mbps

25600 19200

Other

商品説明

PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

3501 2382

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

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Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB

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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB

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Kingston 9905701-022.A00G 16GB

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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB

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Team Group Inc. UD5-6400 16GB

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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

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