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Kingston KN2M64-ETB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Comparez
Kingston KN2M64-ETB 8GB vs Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Différences
Spécifications
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Raisons de considérer
Kingston KN2M64-ETB 8GB
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Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
47
Autour de -68% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.9
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
47
28
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
12.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2037
2112
Kingston KN2M64-ETB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
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