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Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Comparez
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Note globale
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
61
Autour de -154% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.3
2,410.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
61
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,230.0
12.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,410.6
6.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
754
2256
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
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