RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Comparez
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Note globale
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Note globale
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
37
Autour de 30% latence réduite
Raisons de considérer
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.4
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
37
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
21.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2432
3448
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Comparaison des RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link