Comparaison de la RAM Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Note globale

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

41 67

Autour de 39% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

13.3 6.2

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

8.3 3.4

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Bande passante mémoire plus élevée, mbps

12800 10600

Autour de 1.21 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2176 1076

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns