RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Comparez
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Note globale
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
67
Autour de 39% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.3
6.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
3.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
41
67
Vitesse de lecture, GB/s
13.3
6.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
3.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
12800
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2176
1076
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4A
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link