Comparación de la memoria RAM Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Puntuación global

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

41 67

En 39% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

13.3 6.2

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

8.3 3.4

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

12800 10600

En 1.21 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2176 1076

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns