RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Сравнить
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
67
Около 39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.3
6.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
3.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
12800
10600
Около 1.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
41
67
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
6.2
Скорость записи, Гб/сек
8.3
3.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
12800
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2176
1076
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link