RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Сравнить
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
67
Около 39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.3
6.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
3.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
12800
10600
Около 1.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
41
67
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
6.2
Скорость записи, Гб/сек
8.3
3.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
12800
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2176
1076
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link