Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Punteggio complessivo
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    41 left arrow 67
    Intorno 39% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    13.3 left arrow 6.2
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.3 left arrow 3.4
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    12800 left arrow 10600
    Intorno 1.21 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    41 left arrow 67
  • Velocità di lettura, GB/s
    13.3 left arrow 6.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.3 left arrow 3.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2176 left arrow 1076
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