RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Porównaj
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
67
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.3
6.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
3.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
41
67
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
6.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
3.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
12800
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2176
1076
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBXL 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link