Porównanie pamięci RAM Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Wynik ogólny

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

41 67

Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

13.3 6.2

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

8.3 3.4

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Wyższa przepustowość pamięci, mbps

12800 10600

Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2176 1076

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns