Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    41 left arrow 67
    Wokół strony 39% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    13.3 left arrow 6.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.3 left arrow 3.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    12800 left arrow 10600
    Wokół strony 1.21 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR3
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    41 left arrow 67
  • Prędkość odczytu, GB/s
    13.3 left arrow 6.2
  • Prędkość zapisu, GB/s
    8.3 left arrow 3.4
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Opis
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2176 left arrow 1076
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania