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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

総合得点
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    41 left arrow 67
    周辺 39% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.3 left arrow 6.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.3 left arrow 3.4
    テスト平均値
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) QUM3U-8G1600C11 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 67
  • 読み出し速度、GB/s
    13.3 left arrow 6.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.3 left arrow 3.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2176 left arrow 1076

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