RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
16
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3098
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link