RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Comparez
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Note globale
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Note globale
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
28
Autour de 7% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
5.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
13.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
5.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2432
1699
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Comparaison des RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link