RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Comparez
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
36
Autour de -100% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.9
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.7
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
18
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
20.9
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
16.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2497
3609
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link