RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Сравнить
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB против G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
36
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.9
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.7
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
18
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
20.9
Скорость записи, Гб/сек
11.8
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2497
3609
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
INTENSO 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link