RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Comparez
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Note globale
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
38
Autour de 32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
38
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
9.4
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2432
2110
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Comparaison des RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link