RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Comparez
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Note globale
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
83
Autour de 69% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
83
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2432
1774
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Comparaison des RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link