Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Kingston KVR533D2N4 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

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Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    28 left arrow 75
    Autour de -168% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    18.5 left arrow 1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    15.7 left arrow 1,672.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 4200
    Autour de 4.05 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    75 left arrow 28
  • Vitesse de lecture, GB/s
    1,943.5 left arrow 18.5
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,672.1 left arrow 15.7
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    4200 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Timings / Vitesse d'horloge
    4-4-4-12 / 533 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    301 left arrow 3601
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons