Kingston KVR533D2N4 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

総合得点

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

総合得点

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

相違点仕様コメント

相違点

Kingston KVR533D2N4 512MB

考慮すべき理由
Kingston KVR533D2N4 512MB

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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

28 75

周辺 -168% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

18.5 1

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

15.7 1,672.1

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

17000 4200

周辺 4.05 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Kingston KVR533D2N4 512MB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR2 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

75 28
読み出し速度、GB/s

1,943.5 18.5
書き込み速度、GB/秒

1,672.1 15.7
メモリ帯域幅、mbps

4200 17000

Other

商品説明

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
タイミング / クロック速度

4-4-4-12 / 533 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

301 3601

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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