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Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Comparez
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Note globale
Kingston KVR533D2N4 512MB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
75
Autour de -168% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
1,672.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
4200
Autour de 5.07 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
28
Vitesse de lecture, GB/s
1,943.5
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,672.1
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
21300
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
301
3693
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaison des RAM
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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