RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Comparez
Kingston KVR533D2N4 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Note globale
Kingston KVR533D2N4 512MB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR533D2N4 512MB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
75
Autour de -188% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.8
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
1,672.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
4200
Autour de 4.05 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
26
Vitesse de lecture, GB/s
1,943.5
19.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,672.1
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
17000
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
301
3635
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaison des RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link