Comparaison de la RAM Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Note globale

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Raisons de considérer
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

31 62

Autour de -100% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

15.5 1,843.6

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

25600 6400

Autour de 4 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

542 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns