RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
62
Autour de -100% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
3649
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link