Comparación de la memoria RAM Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Puntuación global

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Razones a tener en cuenta
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

31 62

En -100% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

15.5 1,843.6

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

25600 6400

En 4 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Principales características

Other

Descripción

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

542 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns