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Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Comparez
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Note globale
Kingston KVR533D2N4 512MB
Note globale
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Raisons de considérer
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
62
75
Autour de -21% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.0
1,672.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
4200
Autour de 4.57 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
62
Vitesse de lecture, GB/s
1,943.5
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,672.1
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
19200
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
301
1808
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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